PEN薄膜的發展歷史

　　早在1964年，日本帝人公司就開始了PEN的研究工作，到1971年，即以70-80噸/年規模試產PEN薄膜（商品名為Q薄膜），發現其性能與聚苯硫醚相當，是很理想的功能材料，可作高檔磁記錄薄膜。但由于PEN單體的制造成本高，使Q薄膜的發展受到限制，同時PEN的出現在當時還是引起了化工原料制造商的興趣。1973年帝人公司建立年產1000噸PEN裝置。1989年日本帝人公司使PEN膜商業化生產后，一直獨占PEN膜供應市場，并在1993年建造了一條4000噸/年PEN薄膜生產線，將雙向拉伸薄膜商標命名為TEONEX。2000年PEN膜市場需求已達到6300噸。PEN薄膜與PET薄膜同為聚酯類膜，可使用與PET薄膜同樣的設備，通過熔融--擠出--雙向拉伸制得PEN膜。與PET膜相比，PEN薄膜具有除優良的高強、高模及熱阻性能外，又具備優良的氣體阻隔性、耐水性、耐放射性特點，有效的拓展了PEN薄膜的應用范圍。PEN薄膜的應用是PEN研究最多的一個方面，也是PEN最早投入使用的產品。目前PEN薄膜主要應用于磁帶的基帶、柔性印刷電路板、電容器膜、F級絕緣膜等方面。該公司90年代又建立4.8萬噸PEN生產裝置，生產的均聚PEN可直接用于生產包裝瓶、薄膜、纖維及工程塑料。2001年帝人和三信化工共同開發了PEN學生飯盒。

　　我國在70年代曾對PEN進行過研究，也有批量生產，主要用于絕緣薄膜方面。進入80年代后我國對PEN的結構及性能進行了系統的研究，中國紡大在80年代研制成PEN聚合物及纖維，鞍山鋼院、天津石化等均對PEN單體NDC進行過研究，并取得階段性進展，中國桂林電器科研所曾試制PEN薄膜。儀征化纖股份公司已于1996年作為部級課題投入科研力量進行PEN的研究開發工作，從原料單體NDC開始，研究了聚合工藝以及催化劑效果，聚合了切片，完成了小試。但有關PEN單體和PEN工業化生產應用方面還未見過報道。

PEN薄膜的用途

　　近年來，PEN薄膜主要應用于磁帶的基帶、柔性印刷電路板、電容器膜、F級絕緣膜等方面，而PEN薄膜新的用途仍然在不斷開發中。如數據磁帶，數據磁盤的種類有DDS（數字、數據、儲存），8MM數據磁帶，1/4英寸磁帶，DDS的需求量較大。根據DDS的記憶容量公別為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ型。Ⅱ、Ⅲ型為聚芳酰胺膜，Ⅰ型為PEN與PET共用型。記憶容量為2G，90MM的PEN薄膜代替。從記憶容量來考慮，Ⅰ型幾乎全部被PEN占領。隨著手機及小型攜帶機械的發展，對薄膜電容器的需求也不斷增大。目前，雖然這方面市場規模雖小，但將是一個很有發展前途的領域。另外，由于PEN膜的耐熱性、薄膜強度較好，用于汽車傳感器及絕緣零配件方面也有一定的發展前途。再者，F級絕緣膜最具有應用前景。一般的PET薄膜只可達到E級（長期使用溫度為120度），如果要達到B級（130度）,則要求粘度提高很多，而且齊聚物含量要很低，否則用于制冷密封型電機的絕緣時，受潤滑油和冷媒的浸潤容易將齊聚物抽提出來，從而造成電機故障。而PEN中齊聚物的質量分數僅為0.5%，耐水性是PET的4倍，耐熱性好，可達到F級（160度）絕緣膜的要求，具有很好的應用前景。